PDS805GH-1AS02-A2DB_G62智能压力变送器的定义硅单晶材料在受到外力作用产生较微小应变时(一般步于400微应变)，其内部原子结构的电子能级状态会发生变化，从而导致其电阻率剧烈变化(G因子突变)。用此材料制成的电阻也就出现较大变化，这种物理效应称为压阻效应。利用压阻效应原理，采用集成工艺技术经过掺杂、扩散，沿单晶硅片上的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥，利用硅材料的弹性力学特性，在同一切硅材料上进行各向微加工，就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。给传感器匹配一放大电路及相关部件，使之输出一个标准信号，就组成了一整的扩散硅压力变送器。PDS805GH-1AS02-A2DB_G62智能压力变送器 进口芯片组装，体现世界压力变送器工艺，结构紧凑，坚固，重量轻，便于安装，使用方便，免维护；零点,量程可在外部连续调节,迁移范围宽；适用于多种场合,全天候恶劣危险环境和各类腐蚀性介质，可以测量各种腐蚀性和非腐蚀性气体、液体。广泛应用于、石油、化工、冶金、电力、轻工、机械等领域。技术指标量程：0-100Pa～500MPa；-100～0kPa测压形式：表压、绝压、负压补偿温度：-10～70℃ 工作温度：-20～85℃综合精度：0.1% 、0.25% 、0.5% 、1%输出选择：4～20mA 、0～10mA 、1～5V 、0～5V DC供电电压：24V DC 、15V DC 、220V AC测量介质：液体、气体、蒸汽
